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19.03.2019

Kontrollierte Anregung von Molekülen steuert chemische Reaktionen

Wissenschaftlerteam aus Gießen und Marburg zeigt neue Möglichkeiten zur Steuerung chemischer Reaktionen auf Oberflächen auf

Gießen/Marburg – Die gezielte Kontrolle chemischer Reaktionen, insbesondere im Hinblick auf die dabei entstehenden Endprodukte, ist die Motivation für viele Forschungsarbeiten in der Chemie. So möchte man die Ausbeute ungewünschter Nebenprodukte unterdrücken und die Ausbeute des gewünschten Produkts erhöhen.

In einer experimentellen Studie mittels Rastertunnelmikroskopie konnte das Forscherteam um Prof. Dr. Michael Dürr, Institut für Angewandte Physik der Justus-Liebig-Universität Gießen (JLU), gemeinsam mit Kolleginnen und Kollegen der Philipps-Universität Marburg (Prof. Dr. Ulrich Höfer) nun zeigen, dass auf Oberflächen weitere, neue Möglichkeiten der Kontrolle möglich sind.

Dazu untersuchten die Forscherinnen und Forscher die Etherspaltung auf einer Siliziumoberfläche – eine Reaktion, die die Oberflächenvariante einer SN2-Reaktion darstellt. Für diese Reaktion konnten sie zeigen, dass sie nicht nur durch Zufuhr thermischer Energie – der „Normalfall“ –, sondern auch durch Anregung der einzelnen Moleküle mittels Elektronen initiiert werden kann.

Da mit dem Rastertunnelmikroskop die Endprodukte der Reaktion auf molekularer Skala nachgewiesen werden können, konnten die Forscherinnen und Forscher weiterhin zeigen, dass sich diese von den Endprodukten einer thermisch induzierten Reaktion unterscheiden. Dabei ist besonders hervorzuheben, dass sich die Endprodukte je nach Art der Anregung, d.h. entweder einer direkten elektronischen Anregung oder einer durch das Elektron vermittelten Schwingungsanregung, unterscheiden. Da diese Anregungsarten wiederum durch die experimentellen Parameter bestimmt werden, eröffnet sich eine ganz neue Art der Kontrolle dieser Reaktionen.

Die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) förderte die zugrundeliegende wissenschaftliche Arbeit durch den Sonderforschungsbereich „Struktur und Dynamik innerer Grenzflächen“ (SFB 1083) sowie durch das Graduiertenkolleg „Funktionalisierung von Halbleitern“ (GRK 1782).

Quellen:

Pressemitteilung des Forschungscampus Mittelhessen

Originalpublikation

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