Von der Beihilfe gehen 74,4 Millionen Euro an die KLA-Tencor MIE GmbH („KLA“), um am Standort Weilburg neue Fertigungskapazitäten für optische Overlay- und Schicht-Messtechnik aufzubauen.

Die Europäische Kommission hat eine staatliche Beihilfe Deutschlands in Höhe von 659 Millionen Euro für vier neuartige Anlagen in der Halbleiter-Wertschöpfungskette genehmigt. Folgende Unternehmen erhalten direkte Zuschüsse: KMU Element 3-5 GmbH für eine Anlage in Baesweiler, Vishay Siliconix Itzehoe GmbH für eine Anlage in Itzehoe, KLA-Tencor MIE GmbH für eine Anlage in Weilburg und KETEK GmbH für eine Anlage in München. Teresa Ribera, Exekutiv-Vizepräsidentin für einen sauberen, fairen und wettbewerbsfähigen Wandel, betonte: „Die heutige Genehmigung der Förderung Deutschlands für vier neue Projekte in der Halbleiter-Wertschöpfungskette zeigt, dass Europa die Ziele des EU-Chip-Gesetzes in die Tat umsetzt. Wenn wir Innovationen im Halbleiterbereich unterstützen, stärken wir damit unsere technologische Souveränität und die Wettbewerbsfähigkeit Europas.“

Direkte Zuschüsse

Deutschland wird folgende direkten Zuschüsse für den Bau von Halbleiteranlagen gewähren:

• 353 Millionen Euro an das KMU Element 3-5 GmbH für eine Anlage in Baesweiler, Nordrhein-Westfalen, zur Herstellung von Epiwafern aus Siliziumcarbid („SiC“)
• 214 Millionen Euro an die Vishay Siliconix Itzehoe GmbH („Vishay“) für eine Anlage in Itzehoe, Schleswig-Holstein, zur Herstellung von Silizium-Leistungs-MOSFETs des n- und p-Typs
• 74,4 Millionen Euro an die KLA-Tencor MIE GmbH („KLA“) für eine Anlage in Weilburg, Hessen, zur Herstellung fortschrittlicher optischer Overlay- und Schicht-Messtechnik
• 17,9 Millionen Euro an die KETEK GmbH für eine Anlage in München (Bayern) zur Herstellung von zwei hochspezialisierten Chips: Siliziumdriftdetektoren („SDD“) und „Graphene Radiation Entry Windows“ („GREW“).

Alle vier Maßnahmen werden aus dem Bundeshaushalt und von den jeweiligen Landesbehörden gemeinsam finanziert.

Beihilfemaßnahme für Element 3-5

Element 3-5 SiCnature wird eine neuartige Fabrik für SiC-Epiwafer errichten. Dabei handelt es sich um Siliziumcarbid-Wafer mit einer sehr dünnen, hochwertigen Zusatzbeschichtung, die die Leistung gegenüber normalen SiC-Wafern verbessert. Der neue Wafertyp soll in Endanwendungen in verschiedenen Sektoren (u. a. Automobil, Industrie, Telekommunikation und Energie) eingesetzt werden. Dieses Projekt führt zu erheblichen Verbesserungen, insbesondere im Herstellungsprozess. So wird im Vergleich zur konventionellen chemischen Beschichtung durch Heißwand-CVD-Systeme die Energieeffizienz steigen, die Erträge werden sich erhöhen und die Herstellung wird effizienter.

Beihilfemaßnahme für Vishay

Vishay wird an seinem Standort Itzehoe neue Halbleiter-Fertigungskapazitäten aufbauen und dort die nächste Generation von Leistungs-MOSFETs herstellen. Dabei handelt es sich um Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, die darauf ausgelegt sind, Hochspannungen und Ströme in elektronischen Leistungsschaltungen effizient zu schalten oder zu steuern. Sie werden hauptsächlich in der Automobilindustrie, aber auch für industrielle und kommerzielle Zwecke verwendet.

Beihilfemaßnahme für KLA

KLA wird an seinem Standort in Weilburg neue Fertigungskapazitäten für fortschrittliche optische Overlay- und Schicht-Messtechnik (einschließlich wichtiger Unterbaugruppen) aufbauen. Solche Ausrüstung wird für Prozesssteuerung und Qualitätssicherung bei der Massenproduktion von Halbleiter-Bauelementen verwendet, wodurch Front-End- und Back-End-Hersteller ihre Erträge und ihre Produktivität steigern können. Die von KLA in Weilburg hergestellten Geräte ermöglichen die Entwicklung modernster und allermodernster Halbleiter-Fertigungsprozesse.

Beihilfemaßnahme für KETEK

Ketek wird zwei Produktionslinien für hochspezialisierte Chips bauen: SDD-Chips und GREW-Chips, Schlüsselkomponenten der von KETEK bereits gebauten SDD-Detektoren. SDD-Detektoren werden für industrielle Sortier- und Recyclingsysteme verwendet. Das Projekt wird die Montage der nächsten Generation von Detektoren ermöglichen, indem zwei Produktionslinien in einem Reinraum zusammengeführt werden, was Integration und Effizienz gegenüber den derzeitigen Lösungen steigert.

Im Rahmen der Beihilfemaßnahmen haben alle Beihilfeempfänger Folgendes zugesagt:

• Sicherstellung einer breiteren Wirkung der Projekte mit positiven Auswirkungen auf die Halbleiter-Wertschöpfungskette der EU
• Stärkung der Zusammenarbeit mit Universitäten und Forschungseinrichtungen
• vorrangige Erfüllung von Aufträgen im Falle eines Versorgungsengpasses
• Entwicklung fachlicher Weiterbildung, um den Pool an ausgebildeten und qualifizierten Arbeitskräften zu vergrößern
• Teilung potenzieller projektbezogener Gewinne, die über die derzeitigen Erwartungen hinausgehen, mit Deutschland